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款电论文进一步揭示了高熵催化剂绕过线性关系约束的机制。通过理解AGAT模型，应裙本文表明吸附质对表面原子地影响局限在3近邻或4.5Å以内。

推出高熵合金同时提供了广阔的组分优化的空间和出色的动态稳定性。由于高熵合金组分空间巨大且表面位点多，款电设计及优化高熵催化剂的组成和位点面临巨大的挑战。应裙AGAT模型提供了一种无需特征工程的端到端的方案。

推出相关研究成果以Designhigh-entropyelectrocatalystviainterpretabledeepgraphattentionlearning为题发表在《Joule》。一些先进的合成方法也成功地被应用于合成高熵合金纳米团簇，款电甚至包含了传统上被认为不互溶的组分。

应裙但高熵材料可以通过表面丰富的位点来绕过线性关系对催化活性的限制。

高熵合金由五种及其以上的金属元素组成，推出高熵合金为电催化反应设计提供了一个新的平台。以上情况，款电对LED行业而言亦如此，就拿我国自主研发的LED驱动来说，市场上的主流技术，其源头几乎都来自于美国的HV9921这块驱动IC所提供的解决方案。

过去是发达国家替我们在做，应裙LED行业需要靠我们自己，这就是现在的LED行业。但在LED行业，推出可以说我们和国外是同时起步的，而且近年来很多发达国家的工厂搬到了中国，使得发达国家缺乏可以用于完善技术方案的场所。

而我所说的新是指这个行业的形态，款电这个新的行业形态主要指立足于市场的工业研究。所以，应裙国外已经不太可能提供整套的成熟方案，甚至无法提供成熟的技术方案。